本站4月17日消息，集邦諮詢（TrendForce）近日發(fā)布報告，認(rèn)為英偉達(dá)Blackwell新平臺產(chǎn)品需求看漲，預(yù)估帶動臺積電2024年CoWoS封裝總產(chǎn)能提升逾150%。英偉達(dá)Blackwell新平臺產(chǎn)品包含B系列的GPU，以及整合英偉達(dá)自家GraceArmCPU的GB200加速卡等。集邦諮詢確認(rèn)為供應(yīng)鏈目前非?？春肎B200，預(yù)估2025年出貨量預(yù)計超過百萬片，在英偉達(dá)高階GPU中的佔(zhàn)比達(dá)到40-50%。在英偉達(dá)計畫下半年交付GB200以及B100等產(chǎn)品，但上游晶圓封裝方面須進(jìn)一步採用更複

本站8月6日消息，群創(chuàng)光電（InnoluxCorporation）總經(jīng)理?xiàng)钪樽蛉眨?月5日）表示，公司正積極佈局和推進(jìn)半導(dǎo)體扇出型面板級封裝（FOPLP），預(yù)計今年年底前量產(chǎn)ChipFirst製程技術(shù)，對營收的貢獻(xiàn)將於明年第1季顯現(xiàn)。 fenye群創(chuàng)光電錶示未來1-2年內(nèi)有望量產(chǎn)針對中高端產(chǎn)品的重佈線層（RDLFirst）製程工藝，並和合作夥伴一起研發(fā)技術(shù)難度最高的玻璃鑽孔（TGV）流程，還需要2-3年才能投入量產(chǎn)。楊柱祥表示群創(chuàng)的FOPLP技術(shù)已“準(zhǔn)備好量產(chǎn)了”，會從中低端產(chǎn)品入局，未來再逐

本站12月27日消息，根據(jù)韓媒ETNews報道，SK海力士近日研發(fā)出了可重複使用的CMP拋光墊技術(shù)，不僅可以降低成本，而且可以增強(qiáng)ESG（環(huán)境、社會、治理）管理。 SK海力士表示，他們將首先在低風(fēng)險製程中部署可重複使用的CMP拋光墊，並逐步擴(kuò)大其應(yīng)用範(fàn)圍本站注：CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，材料表面達(dá)到所要求的平整度的一個製程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。圖源：鼎龍股份在CM

本站7月8日消息，綜合日經(jīng)、日本「時事通訊社」報道，當(dāng)?shù)貢r間8（今）日，索尼集團(tuán)旗下半導(dǎo)體製造商索尼半導(dǎo)體製造公司宣布，該公司出現(xiàn)有害化學(xué)物質(zhì)排放至工廠外部，且未進(jìn)行通報的情況。該公司稱，這是由於：輸入工作失誤確認(rèn)系統(tǒng)不完善所造成的。在2021和2022財年，位於熊本縣菊陽町的相機(jī)影像感測器工廠將其化學(xué)物質(zhì)的排放量錯誤地報告為0，實(shí)際情況則是存在「未經(jīng)無害化處理的廢棄物」的排放。該廠排放物質(zhì)為氟化氫，常用於半導(dǎo)體的加工和清洗。本站註：氟化氫對人體有害，吸入後會導(dǎo)致呼吸道疾病，甚至危及生命。索尼半

本站10月31日消息，根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報》從產(chǎn)業(yè)內(nèi)人士處獲悉，先鋒國際半導(dǎo)體/世界先進(jìn)（VIS）目前正和友達(dá)新加坡工廠展開洽談，收購後者所持有的土地和設(shè)備，用於建造首座12吋晶圓廠。圖源：友達(dá)官網(wǎng)先鋒國際半導(dǎo)體計畫投資20億美元（約合人民幣146.4億元）生產(chǎn)晶片，主要用於汽車領(lǐng)域據(jù)報道，先鋒國際半導(dǎo)體將於11月7日召開相關(guān)會議。而友達(dá)計劃於10月31日召開相關(guān)會議，兩家公司目前尚未就相關(guān)傳聞發(fā)表官方評論報告稱友達(dá)計劃逐步回撤，在新加坡的發(fā)展重心從製造轉(zhuǎn)向建立區(qū)域服務(wù)中心。這家新加坡工廠是在201

三星計劃增加進(jìn)口更多ASML極紫外線（EUV）光刻設(shè)備，這是根據(jù)韓國今日電子新聞的報道儘管合同中的保密條款沒有透露具體細(xì)節(jié)，但根據(jù)證券市場的消息，這項(xiàng)協(xié)議將使得ASML在五年內(nèi)提供總共50套設(shè)備，每臺設(shè)備的單價約為2000億韓元（約11.02億元），總價值可達(dá)10兆韓元（約551億元）目前尚不清楚其合約中的產(chǎn)品是現(xiàn)有EUV微影設(shè)備還是新一代「HighNAEUV」微影設(shè)備。不過，目前EUV微影設(shè)備最大的問題是產(chǎn)量有限。根據(jù)官方介紹，它“比衛(wèi)星部件還複雜”，每年只能生產(chǎn)很有限的數(shù)量。據(jù)

主要差異在於：半導(dǎo)體只讀記憶體ROM可以永久保存訊息，半導(dǎo)體隨機(jī)記憶體RAM在斷電後資訊會遺失。 ROM的特色是只能讀出而不能寫入資訊；且斷電以後內(nèi)容不會遺失，加電後會自動恢復(fù)。 RAM的特色是讀寫速度快，最大的缺點(diǎn)是斷電後裡面的內(nèi)容立刻消失。

IT之家2月22日消息，英特爾在IFSDirectConnect活動上透露了其未來節(jié)點(diǎn)演化版本效能指標(biāo)：每次的PPA提升不超過10%。 IT之家註：PPA即Power/Performance/Area，功耗、效能、面積（邏輯密度），三者作為整體被用作先進(jìn)製程的效能判據(jù)。英特爾已確認(rèn)未來將推出演化版本，將使用“P”、“T”和“E”後綴來區(qū)分這些版本，分別代表“性能提升”、“用於3D堆疊的矽通孔技術(shù)”和“功能擴(kuò)展」。這項(xiàng)措施將為用戶提供更多選擇，滿足不同需求。 ▲英特爾代工：製程路線圖Anandtech