三星宣布完成 16 層混合鍵結堆疊製程技術驗證，預計在 HBM4 記憶體大面積應用
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
報道稱，三星電子的高管Dae Woo Kim表示，在2024年韓國微電子和封裝學會年會上，三星電子將完成采用16層混合鍵合HBM內存技術的驗證。據(jù)悉，這項技術已通過技術驗證。報道還稱，此次技術驗證將為未來若干年內的內存市場發(fā)展奠定基礎。
Dae Woo Kim 表示，三星電子成功制造了基于混合鍵合技術的 16 層堆疊 HBM3 內存，該內存樣品工作正常，未來 16 層堆疊混合鍵合技術將用于 HBM4 內存量產。
相較現(xiàn)有鍵合工藝，混合鍵合無需在 DRAM 內存層間添加凸塊，而是將上下兩層直接銅對銅連接，可顯著提高信號傳輸速率，更適應 AI 計算對高帶寬的需求。
混合鍵合還可降低 DRAM 層間距，進而減少 HMB 模塊整體高度，但也面臨成熟度不足，應用成本昂貴的問題。
三星電子在 HBM4 內存鍵合技術方面采用兩條腿走路的策略，同步開發(fā)混合鍵合和傳統(tǒng)的 TC-NCF 工藝。
結合下方圖片和本站以往報道，HBM4 的模塊高度限制將放寬到 775 微米，有利于繼續(xù)使用 TC-NCF。
三星正努力降低 TC-NCF 工藝的晶圓間隙，目標在 HBM4 中將這一高度縮減至 7.0 微米以內。
這份技術也面臨著質疑。Dae Woo Kim 回擊稱三星電子的方案相較競爭對手 SK 海力士的 MR-RUF 更適合 12 層至 16 層的高堆疊模塊。
以上是三星宣布完成 16 層混合鍵結堆疊製程技術驗證，預計在 HBM4 記憶體大面積應用的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網(wǎng)其他相關文章！
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報告稱，三星電子的高層DaeWooKim表示，在2024年韓國微電子和封裝學會年會上，三星電子將完成採用16層混合鍵結HBM記憶體技術的驗證。據(jù)悉，這項技術已通過技術驗證。報告也稱，此次技術驗證將為未來若干年內的記憶體市場發(fā)展奠定基礎。 DaeWooKim表示，三星電子成功製造了基於混合鍵合技術的16層堆疊HBM3內存，該內存樣品工作正常，未來16層堆疊混合鍵合技術將用於HBM4內存量產。 ▲圖源TheElec，下同相較現(xiàn)有鍵合工藝，混合鍵結無需在DRAM記憶體層間添加凸塊，而是將上下兩層直接銅對銅連接，
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