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美光:HBM 記憶體消耗 3 倍晶圓量,明年產(chǎn)能基本預(yù)定完畢

Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
記憶體 美光 hbm

本站 3 月 21 日消息,美光在發(fā)布季度財(cái)報(bào)後舉行了電話會(huì)議。在該會(huì)議上美光 CEO 桑傑?梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)表示,相對(duì)於傳統(tǒng)內(nèi)存,HBM 對(duì)晶圓量的消耗明顯更高。

美光錶示,在同一節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)同等容量的情況下,目前最先進(jìn)的HBM3E 記憶體對(duì)晶圓量的消耗是標(biāo)準(zhǔn)DDR5 的三倍,並且預(yù)計(jì)隨著性能的提升和封裝複雜度的加劇,在未來(lái)的HBM4 上這一比值將進(jìn)一步提升。

美光:HBM 內(nèi)存消耗 3 倍晶圓量,明年產(chǎn)能基本預(yù)定完畢

參考本站以往報(bào)道,這一高比值有相當(dāng)一部分原因在 HBM 的低良率上。 HBM 記憶體採(cǎi)用多層 DRAM 記憶體 TSV 連線堆疊而成,一層出現(xiàn)問(wèn)題就意味著整個(gè)堆疊報(bào)廢。目前 HBM 的良率僅約 2/3,明顯低於傳統(tǒng)記憶體產(chǎn)品。

目前,由於 AI 領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,熱門(mén)產(chǎn)品 HBM 一直處?kù)豆┎粦?yīng)求的狀態(tài)。 SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能已經(jīng)售罄,三星也早已完成了今年大部分產(chǎn)能的配額談判。梅赫羅特拉此次更是進(jìn)一步表示,美光的 HBM 產(chǎn)能連明年的都基本上被預(yù)定完畢。

HBM 的高需求,加上其對(duì)晶圓的高消耗,擠壓了其他 DRAM 的投片量。美光錶示非 HBM 記憶體正面臨供應(yīng)緊張的局面。

此外,美光宣稱其 8Hi HBM3E 記憶體已開(kāi)始大批量出貨,可在截至 8 月末的本財(cái)年中貢獻(xiàn)數(shù)億美元的收入。

對(duì)於 12 層堆疊 36GB HBM3E,梅赫羅特拉表示這一未來(lái)產(chǎn)品已於本月初完成採(cǎi)樣,目標(biāo)到 2025 年實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

以上是美光:HBM 記憶體消耗 3 倍晶圓量,明年產(chǎn)能基本預(yù)定完畢的詳細(xì)內(nèi)容。更多資訊請(qǐng)關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章!

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本站9月3日消息,韓媒etnews當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨報(bào)道稱,三星電子和SK海力士的「類(lèi)HBM式」堆疊結(jié)構(gòu)行動(dòng)記憶體產(chǎn)品將在2026年後實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國(guó)記憶體巨頭將堆疊式行動(dòng)記憶體視為未來(lái)重要收入來(lái)源,並計(jì)劃將「類(lèi)HBM記憶體」擴(kuò)展到智慧型手機(jī)、平板電腦和筆記型電腦中,為端側(cè)AI提供動(dòng)力。綜合本站先前報(bào)導(dǎo),三星電子的此類(lèi)產(chǎn)品叫做LPWideI/O內(nèi)存,SK海力士則將這方面技術(shù)稱為VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線,即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。三星電子的LPWideI/O內(nèi)存位寬達(dá)512

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