業(yè)界最高 3.6GB/s 傳輸速率，美光宣布第九代 276 層 TLC NAND 快閃記憶體量產(chǎn)
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
本站 7 月 30 日消息，美光當(dāng)?shù)貢r間今日宣布，其第九代（本站註：276 層）3D TLC NAND 閃存量產(chǎn)出貨。
美光錶示其G9 NAND 擁有業(yè)界最高的3.6GB/s I/O 傳輸速率（即3600MT/s 快閃介面速率），較2400MT/s 的現(xiàn)有競品更好滿足資料密集型工作負(fù)載對高吞吐量的需求。
同時美光的G9 NAND 在寫入頻寬和讀取頻寬方面比市場上的其他解決方案分別高出99% 和88%，這一NAND 顆粒層面的優(yōu)勢將為固態(tài)硬碟和嵌入式儲存方案帶來性能與能效的提升。
此外，與前代美光 NAND 快閃記憶體一樣，美光 276 層 3D TLC 顆粒採用了 11.5mm × 13.5mm 的緊湊封裝規(guī)格，可減少 28% 的 PCB 面積佔用，為更多的設(shè)計方案創(chuàng)造了可能。
美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：
美光 G9 NAND 的出貨證明了美光在製程技術(shù)和設(shè)計創(chuàng)新方面的實力。
與目前市場上的競爭產(chǎn)品相比，美光 G9 NAND 的密度提升了至高 73%，從而實現(xiàn)了更緊湊、更有效率的儲存解決方案，使消費(fèi)者和企業(yè)都能從中受益。
美光執(zhí)行副總裁兼首席業(yè)務(wù)長 Sumit Sadana 表示：
美光已連續(xù)第三代在業(yè)界率先推出創(chuàng)新、領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)。與競爭產(chǎn)品相比，整合美光 G9 NAND 的產(chǎn)品可提供明顯優(yōu)勢的效能。
美光 G9 NAND 將成為儲存創(chuàng)新的基礎(chǔ)，為所有終端市場的客戶帶來價值。
以上是業(yè)界最高 3.6GB/s 傳輸速率，美光宣布第九代 276 層 TLC NAND 快閃記憶體量產(chǎn)的詳細(xì)內(nèi)容。更多資訊請關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章！
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業(yè)界最高 3.6GB/s 傳輸速率，美光宣布第九代 276 層 TLC NAND 快閃記憶體量產(chǎn)
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
本站7月30日消息，美光當(dāng)?shù)貢r間今日宣布，其第九代（本站註：276層）3DTLCNAND閃存量產(chǎn)出貨。美光錶示其G9NAND擁有業(yè)界最高的3.6GB/sI/O傳輸速率（即3600MT/s快閃記憶體介面速率），較2400MT/s的現(xiàn)有競品高出50%，能更好滿足資料密集型工作負(fù)載對高吞吐量的需求。同時美光的G9NAND在寫入頻寬和讀取頻寬方面比市場上的其他解決方案分別高出99%和88%，這一NAND顆粒層面的優(yōu)勢將為固態(tài)硬碟和嵌入式儲存方案帶來效能與能效的提升。此外，與前代美光NAND快閃記憶體一樣，美光276
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