三星電子重申 SF1.4 製程預(yù)計(jì)於 2027 年量產(chǎn)，計(jì)畫(huà)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
Jun 13, 2024 pm 05:10 PM
本站6月13日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日舉行的三星代工論壇2024北美場(chǎng)上重申，其SF1.4工藝預(yù)計(jì)於2027年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。
三星表示其 1.4nm 級(jí)製程準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可於 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。
此外，三星電子正在透過(guò)材料和結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新，積極研究後 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯製程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。
三星電子同步確認(rèn)，仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 製程 SF3。
而在更傳統(tǒng)的 FinFET 電晶體部分，三星電子計(jì)劃於 2025 年推出 SF4U 流程。這一節(jié)點(diǎn)將透過(guò)光學(xué)收縮進(jìn)一步提昇在 PPA 指標(biāo)上的競(jìng)爭(zhēng)力。
三星電子Foundry 業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人崔時(shí)榮也表示：
我們?nèi)杂?jì)劃推出用於高速、低功耗資料處理的整合式共封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)，為客戶提供在這個(gè)變革時(shí)代蓬勃發(fā)展所需的一站式人工智慧解決方案。
本站早前就曾報(bào)道，除在光電子領(lǐng)域積累深厚的英特爾外，三大先進(jìn)製程巨頭中的另一成員臺(tái)積電也計(jì)劃在2026年推出基於COUPE技術(shù)整合的共封裝光學(xué)模組。
以上是三星電子重申 SF1.4 製程預(yù)計(jì)於 2027 年量產(chǎn)，計(jì)畫(huà)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域的詳細(xì)內(nèi)容。更多資訊請(qǐng)關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章！
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消息稱三星電子、SK 海力士堆疊式行動(dòng)記憶體 2026 年後商業(yè)化
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
本站9月3日消息，韓媒etnews當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨報(bào)道稱，三星電子和SK海力士的「類HBM式」堆疊結(jié)構(gòu)行動(dòng)記憶體產(chǎn)品將在2026年後實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國(guó)記憶體巨頭將堆疊式行動(dòng)記憶體視為未來(lái)重要收入來(lái)源，並計(jì)劃將「類HBM記憶體」擴(kuò)展到智慧型手機(jī)、平板電腦和筆記型電腦中，為端側(cè)AI提供動(dòng)力。綜合本站先前報(bào)導(dǎo)，三星電子的此類產(chǎn)品叫做LPWideI/O內(nèi)存，SK海力士則將這方面技術(shù)稱為VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。三星電子的LPWideI/O內(nèi)存位寬達(dá)512
三星宣布完成 16 層混合鍵結(jié)堆疊製程技術(shù)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)在 HBM4 記憶體大面積應(yīng)用
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
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三星電子重申 SF1.4 製程預(yù)計(jì)於 2027 年量產(chǎn)，計(jì)畫(huà)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
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Jun 18, 2024 pm 04:15 PM
本站6月18日消息，三星半導(dǎo)體近日在技術(shù)部落格介紹了搭載其目前最新QLC快閃記憶體（v7）的下一代資料中心級(jí)固態(tài)硬碟BM1743。 ▲三星QLC資料中心級(jí)固態(tài)硬碟BM1743根據(jù)TrendForce集邦諮詢4月的說(shuō)法，在QLC資料中心級(jí)固態(tài)硬碟領(lǐng)域，僅有深耕多年的三星和SK海力士旗下Solidigm在當(dāng)時(shí)通過(guò)了企業(yè)客戶驗(yàn)證。相較上代v5QLCV-NAND（本站註：三星v6V-NAND無(wú)QLC產(chǎn)品），三星v7QLCV-NAND閃存在堆疊層數(shù)方面幾乎翻了一倍，儲(chǔ)存密度也大幅提升。同時(shí)v7QLCV-NAND的順
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Apr 20, 2024 am 08:28 AM
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