消息指出三星電子 V9 QLC NAND 快閃記憶體尚未獲量產(chǎn)就緒許可，影響平澤 P4 工廠規(guī)劃
Jul 31, 2024 pm 08:38 PM
本站 7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可，對平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設規(guī)劃造成了影響。三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 快閃記憶體的 1Tb 容量 TLC 版本實現(xiàn)量產(chǎn)，對應的 QLC 版本則將於今年下半年進入量產(chǎn)階段。然而直到現(xiàn)在，三星電子並未對 V9 QLC NAND 快閃記憶體下達 PRA（本站註：應指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 快閃記憶體目前正是 AI 推理伺服器儲存需求的熱點。明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內(nèi)部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用於 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音。
▲?三星電子平澤園區(qū)根據(jù)三星電子先前的規(guī)劃，平澤P4 工廠將成為一個綜合性的半導體生產(chǎn)中心，其包含四個階段，可製造邏輯、NAND 、DRAM 等產(chǎn)品，
其中P4 工廠的第一階段用於NAND 生產(chǎn)、第二階段用於邏輯代工、第三和第四階段用於DRAM 製造。
不過由於晶圓代工訂單數(shù)量不足，而以HBM 為代表的DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品需求火爆，三星電子已於上半年調(diào)整了平澤P4 工廠投資計劃，先行建設DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線，推遲邏輯代工線建設。
三星電子目前在平澤 P4 工廠第一階段的 NAND 產(chǎn)能為每月 10000 片晶圓，此前提出了到明年將月度晶圓投片量提升至 45000 片的目標。
但 V9 QLC NAND 並未及時得到量產(chǎn)許可，導致有內(nèi)部人士認為應該將第一階段的部分建設面積用於前景更明確的 DRAM 生產(chǎn)。
以上是消息指出三星電子 V9 QLC NAND 快閃記憶體尚未獲量產(chǎn)就緒許可，影響平澤 P4 工廠規(guī)劃的詳細內(nèi)容。更多資訊請關注PHP中文網(wǎng)其他相關文章！
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