對(duì)于機(jī)械硬盤、或SATA固態(tài)硬盤，軟件運(yùn)行速度的提升會(huì)有感覺(jué)，如果是NVME硬盤，可能感覺(jué)不到。一，注冊(cè)表導(dǎo)入桌面新建一個(gè)文本文檔，復(fù)制粘貼如下內(nèi)容，另存為1.reg，然后右鍵合并，并重啟電腦。WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

最近，小米發(fā)布了一款功能強(qiáng)大的高端智能手機(jī)小米14Pro，它不僅外觀設(shè)計(jì)時(shí)尚，而且擁有內(nèi)在和外在的黑科技。該手機(jī)擁有頂級(jí)的性能和出色的多任務(wù)處理能力，讓用戶能夠暢享快速而流暢的手機(jī)使用體驗(yàn)。但是性能也是會(huì)收到內(nèi)存的影響的，很多用戶們想要知道小米14Pro如何查看內(nèi)存占用，趕快來(lái)看看吧。小米14Pro如何查看內(nèi)存占用？小米14Pro查看內(nèi)存占用方法介紹打開(kāi)小米14Pro手機(jī)【設(shè)置】中的【應(yīng)用管理】按鈕。查看已安裝的所有應(yīng)用列表，瀏覽列表并找到你想查看的應(yīng)用，點(diǎn)擊它進(jìn)入應(yīng)用詳細(xì)頁(yè)面。在應(yīng)用詳細(xì)頁(yè)面中

本站9月3日消息，韓媒etnews當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子和SK海力士的“類HBM式”堆疊結(jié)構(gòu)移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品將在2026年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國(guó)內(nèi)存巨頭將堆疊式移動(dòng)內(nèi)存視為未來(lái)重要收入來(lái)源，計(jì)劃將“類HBM內(nèi)存”擴(kuò)展到智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中，為端側(cè)AI提供動(dòng)力。綜合本站此前報(bào)道，三星電子的此類產(chǎn)品叫做LPWideI/O內(nèi)存，SK海力士則將這方面技術(shù)稱為VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。三星電子的LPWideI/O內(nèi)存位寬達(dá)512

報(bào)道稱，三星電子的高管DaeWooKim表示，在2024年韓國(guó)微電子和封裝學(xué)會(huì)年會(huì)上，三星電子將完成采用16層混合鍵合HBM內(nèi)存技術(shù)的驗(yàn)證。據(jù)悉，這項(xiàng)技術(shù)已通過(guò)技術(shù)驗(yàn)證。報(bào)道還稱，此次技術(shù)驗(yàn)證將為未來(lái)若干年內(nèi)的內(nèi)存市場(chǎng)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。DaeWooKim表示，三星電子成功制造了基于混合鍵合技術(shù)的16層堆疊HBM3內(nèi)存，該內(nèi)存樣品工作正常，未來(lái)16層堆疊混合鍵合技術(shù)將用于HBM4內(nèi)存量產(chǎn)?！鴪D源TheElec，下同相較現(xiàn)有鍵合工藝，混合鍵合無(wú)需在DRAM內(nèi)存層間添加凸塊，而是將上下兩層直接銅對(duì)銅連接，

本站3月21日消息，美光在發(fā)布季度財(cái)報(bào)后舉行了電話會(huì)議。在該會(huì)議上美光CEO桑杰?梅赫羅特拉（SanjayMehrotra）表示，相對(duì)于傳統(tǒng)內(nèi)存，HBM對(duì)晶圓量的消耗明顯更高。美光表示，在同一節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)同等容量的情況下，目前最先進(jìn)的HBM3E內(nèi)存對(duì)晶圓量的消耗是標(biāo)準(zhǔn)DDR5的三倍，并且預(yù)計(jì)隨著性能的提升和封裝復(fù)雜度的加劇，在未來(lái)的HBM4上這一比值將進(jìn)一步提升。參考本站以往報(bào)道，這一高比值有相當(dāng)一部分原因在HBM的低良率上。HBM內(nèi)存采用多層DRAM內(nèi)存TSV連接堆疊而成，一層出現(xiàn)問(wèn)題就意味著整個(gè)

本站6月7日消息，金邦（GEIL）在2024臺(tái)北國(guó)際電腦展上推出了其最新DDR5解決方案，而且給出了SO-DIMM、CUDIMM、CSODIMM、CAMM2和LPCAMM2等版本可選?！鴪D源：Wccftech如圖所示，金邦展出的CAMM2/LPCAMM2內(nèi)存采用非常緊湊的設(shè)計(jì)，最高可提供128GB的容量，速度最高可達(dá)8533MT/s，其中部分產(chǎn)品甚至可以在AMDAM5平臺(tái)上穩(wěn)定超頻至9000MT/s，且無(wú)需任何輔助散熱。據(jù)介紹，金邦2024款PolarisRGBDDR5系列內(nèi)存最高可提供8400

本站5月6日消息，雷克沙Lexar推出Ares戰(zhàn)神之翼系列DDR57600CL36超頻內(nèi)存，16GBx2套條5月7日0點(diǎn)開(kāi)啟50元定金預(yù)售，到手價(jià)1299元。雷克沙戰(zhàn)神之翼內(nèi)存采用海力士A-die內(nèi)存顆粒，支持英特爾XMP3.0，提供以下兩個(gè)超頻預(yù)設(shè)：7600MT/s：CL36-46-46-961.4V8000MT/s：CL38-48-49-1001.45V散熱方面，這款內(nèi)存套裝搭載1.8mm厚度的全鋁散熱馬甲，配備PMIC專屬導(dǎo)熱硅脂墊。內(nèi)存采用8顆高亮LED燈珠，支持13種RGB燈光模式，可

本站6月13日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日舉行的三星代工論壇2024北美場(chǎng)上重申，其SF1.4工藝有望于2027年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其1.4nm級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于2027年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過(guò)材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后1.4nm時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在2024下半年量產(chǎn)第二代3nm工藝SF3。而在更傳統(tǒng)的FinFET晶體管部分，三星電子計(jì)劃于2025年推出S