この記事では、マザーボード上の DRAM インジケーターの役割について説明します。マザーボードの DRAM ライトがオレンジ色に點(diǎn)燈しているのに何も表示されない場合は、ハードウェアに何らかの問題があることを意味している可能性があります。この場合、この記事ではこれらの問題を解決するためのいくつかの提案を提供します。マザーボード上の DRAM インジケータはオレンジ色ですが、マザーボードがコンピュータのコア ハードウェアであり、CPU、RAM、ハード ドライブなどの他のハードウェア コンポーネントを接続していることを示しているわけではありません。ハードウェアに問題がある場合、マザーボードはアラームを鳴らしたり、LED インジケーターを通じて問題を表示します。 DRAM インジケーター ライトがオレンジ色であるのにディスプレイが表示されない場合は、次の提案を試すことができます。ハード リセットを?qū)g行して CMOS をクリアします。メモリ モジュールを取り付け直し、各メモリ モジュールを確認(rèn)します。BIOS を更新します。問題はメモリまたは CPU にある可能性があります。専門家のサポートを受けてください。

DRAM ライトが常に點(diǎn)燈し、點(diǎn)燈できない問題の解決策: 1. メモリ モジュールがメモリ スロットに正しく取り付けられているかどうかを確認(rèn)し、メモリをスロットに挿入し、所定の位置にしっかりと固定されていることを確認(rèn)します。圧縮ガスまたは柔らかいブラシを使用してメモリ スロットを清掃し、メモリ モジュールの接觸に影響を與えるほこりや不純物がないことを確認(rèn)します; 3. メモリ モジュールが損傷しているか、または正常に動(dòng)作していないかを確認(rèn)し、互換性のあるメモリ モジュールを選択します。交換するマザーボードを確認(rèn)し、メモリ モジュールの仕様、容量、速度がマザーボードの要件と一致していることを確認(rèn)します。 ; 4. メモリ モジュールを再度挿入および取り外して、メモリ モジュールが良好に接觸していることを確認(rèn)します。 ; 5.マザーボードを交換します。

6月24日の當(dāng)サイトのニュースによると、韓國メディアBusinessKoreaは、SKハイニックスが6月16日から20日まで米國ハワイで開催されたVLSI 2024サミットで3D DRAM技術(shù)に関する最新の研究論文を発表したと業(yè)界関係者が明らかにしたと報(bào)じた。この論文でSK Hynixは、5層積層型3D DRAMのメモリ歩留まりが56.1%に達(dá)し、実験で使用した3D DRAMは現(xiàn)行の2D DRAMと同様の特性を示したと報(bào)告している。報(bào)告書によると、メモリセルを水平に配置する従來のDRAMとは異なり、3D DRAMはセルを垂直に積み重ねて同じ空間內(nèi)でより高い密度を?qū)g現(xiàn)します。しかし、SKハイニックスは

韓國メディアTheElecは、サムスンとマイクロンが次世代DRAMメモリである1cnmプロセスにさらなる新技術(shù)を?qū)毪工毪葓?bào)じた。この動(dòng)きにより、メモリのパフォーマンスとエネルギー効率がさらに向上すると期待されています。世界の DRAM 市場の主要リーダーとして、サムスンとマイクロンの技術(shù)革新は業(yè)界全體の発展を促進(jìn)します。これは、將來のメモリ製品がより効率的かつ強(qiáng)力になることも意味します。このサイトからの注: 1cnm 世代は 6 番目の 10+nm 世代であり、Micron はこれを 1γnm プロセスとも呼んでいます?，F(xiàn)在最も先進(jìn)的なメモリは 1bnm 世代であり、Samsung では 1bnm を 12nm レベルのプロセスと呼んでいます。アナリスト會(huì)社TechInsightsのシニアバイスプレジデント、チェジョンドン氏は最近のセミナーでマイクロンが1cnmフェスティバルに參加すると述べた。

9月3日の當(dāng)ウェブサイトのニュースによると、韓國メディアetnewsは昨日（現(xiàn)地時(shí)間）、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構(gòu)造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報(bào)じた。関係者によると、韓國のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを?qū)恧沃匾蕝б嬖搐瓤激à皮?、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計(jì)畫だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術(shù)的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512

8月9日のニュースによると、SK HynixはFMS2024サミットで、仕様がまだ正式にリリースされていないUFS4.1ユニバーサルフラッシュメモリを含む最新のストレージ製品をデモした。 JEDEC Solid State Technology Associationの公式Webサイトによると、現(xiàn)在発表されている最新のUFS仕様は2022年8月のUFS4.0です。理論上のインターフェース速度は46.4Gbpsと高速で、UFS4.1ではさらに伝送速度が向上すると予想されています。レート。 1. Hynix は、321 層 V91TbTLCNAND フラッシュ メモリをベースとした 512GB および 1TBUFS4.1 の汎用フラッシュ メモリ製品をデモしました。 SK Hynixは3.2GbpsV92TbQLC粒子と3.6GbpsV9H1TbTLC粒子も展示した。 Hynix が V7 ベースを披露

3 月 20 日のこの Web サイトのニュースによると、SK Hynix は最近 NVIDIA GTC2024 カンファレンスに出席し、コンシューマー市場向け初の Gen5NVMe ソリッド ステート ドライブ シリーズ、Platinum P51M.22280NVMeSSD をデモしました。 PlatinumP51 は GoldP31 および PlatinumP41 に似ており、自社設(shè)計(jì)の SSD マスター コントロールを使用しますが、主なハイライトは PCIeGen5 と 238 層 TLCNAND フラッシュ メモリの使用です。このサイトからのメモ: Hynix は 2012 年に SSD マスター コントロール メーカー LAMD を買収し、獨(dú)自のマスター コントロールを設(shè)計(jì)できるようになりました。 SKハイニックスはブースで、Platinum P51は500GB、1TB、2TBで発売されると述べた

8月1日の本サイトのニュースによると、SKハイニックスは本日（8月1日）ブログ投稿を発表し、8月6日から8日まで米國カリフォルニア州サンタクララで開催されるグローバル半導(dǎo)體メモリサミットFMS2024に參加すると発表し、多くの新世代の製品。フューチャー メモリおよびストレージ サミット (FutureMemoryandStorage) の紹介。以前は主に NAND サプライヤー向けのフラッシュ メモリ サミット (FlashMemorySummit) でしたが、人工知能技術(shù)への注目の高まりを背景に、今年はフューチャー メモリおよびストレージ サミット (FutureMemoryandStorage) に名前が変更されました。 DRAM およびストレージ ベンダー、さらに多くのプレーヤーを招待します。昨年発売された新製品SKハイニックス