990 EVO Plus支持PCIe 5.0雙模式，讀取達(dá)7250MB/s，采用5nm主控與第八代V-NAND，能效提升73%，2TB緩存達(dá)226GB；P5 Plus為PCIe 4.0標(biāo)準(zhǔn)，讀寫6600/5000MB/s，用176層TLC，性能穩(wěn)定但能效較低；新平臺(tái)選990 EVO Plus，舊平臺(tái)預(yù)算有限則P5 Plus更實(shí)惠。

面對(duì)PCIe 5.0平臺(tái)普及，選擇兼容新接口的固態(tài)硬盤成為升級(jí)關(guān)鍵。三星990 EVO Plus和英睿達(dá)P5 Plus是兩款定位相近的產(chǎn)品，但技術(shù)路線不同，性能表現(xiàn)也各有側(cè)重。

接口與速度：理論峰值與實(shí)際體驗(yàn)

三星990 EVO Plus支持PCIe 4.0 x4和PCIe 5.0 x2雙模式。在PCIe 5.0主板上，它能自動(dòng)切換到x2模式運(yùn)行，官方標(biāo)稱順序讀取速度高達(dá)7250MB/s（2TB/4TB型號(hào)），寫入速度6300MB/s。這個(gè)速度接近PCIe 4.0 x4的理論上限，意味著即使在新平臺(tái)上，其帶寬利用率極高。而英睿達(dá)P5 Plus嚴(yán)格遵循PCIe 4.0 x4標(biāo)準(zhǔn)，順序讀寫速度分別達(dá)到6600MB/s和5000MB/s。從紙面數(shù)據(jù)看，990 EVO Plus的讀取優(yōu)勢(shì)明顯，尤其適合頻繁讀取大文件的場(chǎng)景，如大型游戲加載或4K視頻素材載入。

核心配置與能效：新技術(shù)帶來的綜合提升

性能差異源于內(nèi)部設(shè)計(jì)。990 EVO Plus采用了三星最新的5nm工藝自研主控和第八代V-NAND TLC閃存顆粒。更先進(jìn)的制程通常意味著更低的功耗和發(fā)熱。官方數(shù)據(jù)顯示，其能效比前代產(chǎn)品提升了73%。相比之下，P5 Plus使用的是相對(duì)成熟的主控和176層3D TLC NAND。雖然穩(wěn)定性有保障，但在能耗控制上不如采用更新技術(shù)的990 EVO Plus。對(duì)于筆記本用戶來說，更高的能效意味著更長(zhǎng)的續(xù)航和更低的散熱壓力。

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緩存與日常使用：容量管理與性能持久性

兩款硬盤都應(yīng)用了SLC動(dòng)態(tài)緩存技術(shù)來維持高速寫入。990 EVO Plus搭載了增強(qiáng)版TurboWrite 2.0技術(shù)，2TB版本的SLC緩存空間最高可達(dá)226GB，能有效應(yīng)對(duì)突發(fā)的大文件寫入任務(wù)，比如拷貝高清電影或多張RAW格式照片。P5 Plus也有類似的智能緩存機(jī)制，但具體容量未公開。在日常辦公、游戲啟動(dòng)等混合負(fù)載下，兩者體驗(yàn)接近。但對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)寫入的專業(yè)工作，更大的緩存空間有助于延緩速度回落。

基本上就這些。選擇哪款取決于你的平臺(tái)和需求。如果你用的是新款I(lǐng)ntel或AMD平臺(tái)，并希望未來幾年內(nèi)無需更換SSD，990 EVO Plus的PCIe 5.0兼容性和更高讀速是加分項(xiàng)。如果預(yù)算有限且主要在現(xiàn)有PCIe 4.0系統(tǒng)上使用，P5 Plus依然是可靠的選擇。

以上就是三星990 Evo對(duì)決英睿達(dá)P5 Plus：PCIe 4.0 x4 vs PCIe 5.0 x2，新接口標(biāo)準(zhǔn)下的固態(tài)硬盤性能有何不同？的詳細(xì)內(nèi)容，更多請(qǐng)關(guān)注php中文網(wǎng)其它相關(guān)文章！