10月15日消息，高性能ai計(jì)算不僅需要極強(qiáng)的gpu性能，內(nèi)存帶寬也逐漸成為瓶頸，hbm內(nèi)存已經(jīng)是必需品，明年會(huì)進(jìn)入hbm4時(shí)代，再下一代則是hbm4e。

三星在HBM3、HBM3e時(shí)代都落后給了SK海力士，但從HBM4開始加速追趕，計(jì)劃在HBM4e時(shí)代實(shí)現(xiàn)反超。為此，三星宣布將于2027年推出其新一代HBM4e內(nèi)存，規(guī)格表現(xiàn)極為亮眼。

三星的HBM4e內(nèi)存單引腳數(shù)據(jù)傳輸速率將至少達(dá)到13Gbps，在2048bit位寬下實(shí)現(xiàn)高達(dá)3.25TB/s的內(nèi)存帶寬，相較此前規(guī)劃提升了25%。

作為對(duì)比，HBM4的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)為8Gbps，理論帶寬2TB/s，但受英偉達(dá)等客戶對(duì)更高性能的需求推動(dòng)，實(shí)際量產(chǎn)的HBM4已提升至11Gbps，帶寬約2.8TB/s。

考慮到距離HBM4e正式上市仍有兩年時(shí)間，其最終性能仍存在進(jìn)一步提升的空間。

功耗一直是HBM技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)，不過(guò)三星宣稱HBM4e的能效比大幅提升，超過(guò)兩倍于前代產(chǎn)品，每比特傳輸僅消耗3.9pJ，這意味著相比HBM3e，整體功耗有望降低約50%。

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然而，HBM4e的研發(fā)也面臨難題。目前消息指出，其所采用的1c DRAM顆粒制造良率偏低，可能不足50%，這將帶來(lái)顯著的成本壓力。

此外，市場(chǎng)出貨量仍高度依賴關(guān)鍵客戶英偉達(dá)的AI GPU需求。盡管AMD平臺(tái)認(rèn)證相對(duì)寬松，但其AI顯卡的整體市場(chǎng)份額尚遠(yuǎn)不及英偉達(dá)，因此能否綁定英偉達(dá)將成為HBM4e成敗的關(guān)鍵。

以上就是2027年問(wèn)世 三星預(yù)告下一代HBM4e內(nèi)存：帶寬3.25TB/s的詳細(xì)內(nèi)容，更多請(qǐng)關(guān)注php中文網(wǎng)其它相關(guān)文章！